کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943328 | 1450340 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Inductively coupled plasma etching of ultra-shallow Si3N4 nanostructures using SF6/C4F8 chemistry
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Inductively coupled plasma etching of ultra-shallow Si3N4 nanostructures using SF6/C4F8 chemistry Inductively coupled plasma etching of ultra-shallow Si3N4 nanostructures using SF6/C4F8 chemistry](/preview/png/6943328.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 141, 15 June 2015, Pages 68-71
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 141, 15 June 2015, Pages 68-71
نویسندگان
Bruno Lee Sang, Marie-Josée Gour, Abdelatif Jaouad, Serge Ecoffey, Maxime Darnon, Benattou Sadani, Abdelkader Souifi, Dominique Drouin,