کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943482 | 1450344 | 2015 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation of ALD chemistry of (nBu3P)2Cu(acac) and Cu(acac)2 precursors on Ta(110) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 137, 2 April 2015, Pages 23-31
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 137, 2 April 2015, Pages 23-31
نویسندگان
Xiao Hu, Jörg Schuster, Stefan E. Schulz, Thomas Gessner,