کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6943658 1450364 2014 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Numerical modeling and experimental verification of through silicon via (TSV) filling in presence of additives
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Numerical modeling and experimental verification of through silicon via (TSV) filling in presence of additives
چکیده انگلیسی

- Influence of additives is considered by a set of experimental Tafel curves.
- TSV filling experiments have been carried out to validate the modeling results.
- Superfilling of through silicon via can be predicted with this numerical modeling.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 117, 1 April 2014, Pages 8-12
نویسندگان
, , , , , ,