کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943658 | 1450364 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Numerical modeling and experimental verification of through silicon via (TSV) filling in presence of additives
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Numerical modeling and experimental verification of through silicon via (TSV) filling in presence of additives Numerical modeling and experimental verification of through silicon via (TSV) filling in presence of additives](/preview/png/6943658.png)
چکیده انگلیسی
- Influence of additives is considered by a set of experimental Tafel curves.
- TSV filling experiments have been carried out to validate the modeling results.
- Superfilling of through silicon via can be predicted with this numerical modeling.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 117, 1 April 2014, Pages 8-12
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 117, 1 April 2014, Pages 8-12
نویسندگان
Yunhui Zhu, Shenglin Ma, Xin Sun, Jing Chen, Min Miao, Yufeng Jin,