کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943698 | 1450369 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ni/Au-Al2O3 gate stack prepared by low-temperature ALD and lift-off for MOS HEMTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- The metal-oxide gate stack was realized by a single photolitographic step.
- Low temperature ALD Al2O3 layer was used for MOS gate stack.
- Plasma enhancement and thermal modes were compared.
- MOS devices were evaluated by DC, pulse and C-V measurements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 112, December 2013, Pages 204-207
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 112, December 2013, Pages 204-207
نویسندگان
Michal Blaho, Dagmar GreguÅ¡ová, Michal JurkoviÄ, Å tefan HaÅ¡ÄÃk, Ján Fedor, Peter KordoÅ¡, Karol Fröhlich, Frank Brunner, Melani Cho, Oliver Hilt, Joachim Würfl, Ján KuzmÃk,