کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943787 | 1450369 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
RESET-first bipolar resistive switching due to redox reaction in ALD HfO2 films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: RESET-first bipolar resistive switching due to redox reaction in ALD HfO2 films RESET-first bipolar resistive switching due to redox reaction in ALD HfO2 films](/preview/png/6943787.png)
چکیده انگلیسی
- Migration of oxygen anions between HfO2 and Ti during the switching.
- Effect of the redox reaction on initial conductivity and switching.
- RESET-first resistive switching engineered by redox reaction with annealing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 112, December 2013, Pages 46-51
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 112, December 2013, Pages 46-51
نویسندگان
Jonggi Kim, Sunghoon Lee, Kyumin Lee, Heedo Na, In-Su Mok, Youngjae Kim, Dae-Hong Ko, Hyunchul Sohn,