کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6943905 1450372 2013 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of oxide thin films deposited by atomic layer deposition as dopant source for ultra-shallow doping of silicon
ترجمه فارسی عنوان
بررسی ورقهای نازک اکسید پوشیده شده توسط رسوب لایه اتمی به عنوان منبع دوپینگ برای دوپینگ بسیار زیاد از سیلیکون
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش مقاله
بررسی ورقهای نازک اکسید پوشیده شده توسط رسوب لایه اتمی به عنوان منبع دوپینگ برای دوپینگ بسیار زیاد از سیلیکون
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 113-116
نویسندگان
, , , ,