کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943911 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of plasma post-nitridation on HfO2/Al2O3/SiGe gate stacks toward EOT scaling
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- Al2O3 interlayer with plasma post-nitridation can reduce Dit of HfO2/Al2O3/SiGe.
- Dit toward valance band is decreased by this method, compared with HfO2/SiGe MOS.
- There is an universal relationship between the Dit and ÎEOT by post-nitridation.
- 0.28-nm Al2O3 with 150-W microwave plasma achieves Dit â¼Â 1011 cmâ2 eVâ1, ÎEOT â¼Â 0.3 nm.
- With this method, we can achieve EOT scaling of HfO2/Al2O3/SiGe MOS with low Dit.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 266-269
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 266-269
نویسندگان
J.-H. Han, R. Zhang, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, S. Takagi,