کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943934 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Si cap passivation for Ge nMOS applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
- Si cap passivation on Ge shows low border trap response.
- The Si cap passivation is also suitable for Ge nMOS applications.
- Low Dit at Ec can be achieved by tuning the amount of Si at the interface.
- A dry O3 process can be used to control the amount of Si that is oxidized.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 46-49
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 46-49
نویسندگان
S. Sioncke, W. Vanherle, W. Art, J. Ceuppens, Ts. Ivanov, D. Lin, L. Nyns, A. Delabie, T. Conard, H. Struyf, S. De Gendt, M. Caymax, N. Collaert, A. Thean,