کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943954 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of plasma post oxidation temperature on interface trap density and roughness at GeOx/Ge interfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- Lower Dit is realized for GeOx/Ge interface with higher plasma oxidation temperature.
- Lower plasma oxidation temperature reduces the GeOx/Ge interface roughness.
- A trade-off between Dit and interface roughness is necessary for plasma oxidation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 97-100
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 97-100
نویسندگان
R. Zhang, J.C. Lin, X. Yu, M. Takenaka, S. Takagi,