کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943997 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High quality Ge surface passivation layer formed by thermal oxidation of Y/Ge structure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- The YGeOx enjoys a low interface trap density of 2.1Â ÃÂ 1011Â cmâ2Â eVâ1.
- Low leakage current of 3.1Â ÃÂ 10â10Â A/cm2 at the effective electric field of 1Â MV/cm.
- 13 mV flatband voltage shift for BTI test under 10 MV/cm for 8000 s at 85 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 216-219
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 216-219
نویسندگان
Min-Lin Wu, Yung-Hsien Wu, Rong-Jhe Lyu, Chun-Yen Chao, Chao-Yi Wu, Chia-Chun Lin, Lun-Lun Chen,