کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944043 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Understanding Ge impact on VT and VFB in Si1âxGex/Si pMOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 282-285
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 282-285
نویسندگان
A. Soussou, C. Leroux, D. Rideau, A. Toffoli, G. Romano, O. Saxod, G. Bidal, D. Barge, D. Pellissier-Tanon, F. Abbate, C. Tavernier, G. Reimbold, G. Ghibaudo,