کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6944080 1450372 2013 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Charge trapping processes at memory window formation in single- and double nanocrystal layered NVMs
ترجمه فارسی عنوان
فرایندهای تسخیری را در شکل گیری حافظه در لایه های نانوکریستیوم تک و دو نانومواد برافراشته می کند
کلمات کلیدی
حافظه نانوکریستال، تله شارژ، پنجره حافظه، شارژ یکپارچه،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 5-9
نویسندگان
, , , , ,