کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944080 | 1450372 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Charge trapping processes at memory window formation in single- and double nanocrystal layered NVMs
ترجمه فارسی عنوان
فرایندهای تسخیری را در شکل گیری حافظه در لایه های نانوکریستیوم تک و دو نانومواد برافراشته می کند
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
حافظه نانوکریستال، تله شارژ، پنجره حافظه، شارژ یکپارچه،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 5-9
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 5-9
نویسندگان
V. Ievtukh, A. Nazarov, V. Turchanikov, V. Lysenko, A. Nassiopoulou,