کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6944160 1450372 2013 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Identification of the (√E + 1/E)-dependence of porous low-k time dependent dielectric breakdown using over one year long package level tests
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Identification of the (√E + 1/E)-dependence of porous low-k time dependent dielectric breakdown using over one year long package level tests
چکیده انگلیسی

- Over-one-year-long test results for low-k dielectric TDDB are reported.
- A methodology has been set up to compare different models that predict lifetime.
- The lucky-electron model shows a higher ability to predict dielectric lifetime.
- The fitting parameters are determined independently from the MTTF fit.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 90-93
نویسندگان
, , , , ,