کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944160 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Identification of the (âEÂ +Â 1/E)-dependence of porous low-k time dependent dielectric breakdown using over one year long package level tests
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- Over-one-year-long test results for low-k dielectric TDDB are reported.
- A methodology has been set up to compare different models that predict lifetime.
- The lucky-electron model shows a higher ability to predict dielectric lifetime.
- The fitting parameters are determined independently from the MTTF fit.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 90-93
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 90-93
نویسندگان
E. Chery, X. Federspiel, D. Roy, F. Volpi, J.-M. Chaix,