کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6944161 1450372 2013 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Voltage dependences of parameter drifts in hot carrier degradation for n-channel LDMOS transistors
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Voltage dependences of parameter drifts in hot carrier degradation for n-channel LDMOS transistors
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 101-104
نویسندگان
, , , , ,