کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6944171 1450372 2013 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling of the output characteristics of advanced n-MOSFETs after a severe gate-to-channel dielectric breakdown
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Modeling of the output characteristics of advanced n-MOSFETs after a severe gate-to-channel dielectric breakdown
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 322-325
نویسندگان
, , , , ,