کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6944173 1450372 2013 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Amphoteric defects in GaAs leading to Fermi-level pinning: A hybrid functional study
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Amphoteric defects in GaAs leading to Fermi-level pinning: A hybrid functional study
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 50-53
نویسندگان
, ,