کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6944223 1450382 2012 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High aspect ratio silicon and polyimide nanopillars by combination of nanosphere lithography and intermediate mask pattern transfer
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
High aspect ratio silicon and polyimide nanopillars by combination of nanosphere lithography and intermediate mask pattern transfer
چکیده انگلیسی
► Novel multilayer mask stack for high aspect ratio etching using nanosphere lithography. ► Silicon nanopillars with 75 nm diameter and an aspect ratio of 17. ► High aspect ratio polyimide nanopillars with sub-100 nm diameter. ► Silicon pillar covered surface showed superhydrophilic properties under repeated wetting conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 99, November 2012, Pages 43-49
نویسندگان
, , ,