کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944223 | 1450382 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High aspect ratio silicon and polyimide nanopillars by combination of nanosphere lithography and intermediate mask pattern transfer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Novel multilayer mask stack for high aspect ratio etching using nanosphere lithography. ⺠Silicon nanopillars with 75 nm diameter and an aspect ratio of 17. ⺠High aspect ratio polyimide nanopillars with sub-100 nm diameter. ⺠Silicon pillar covered surface showed superhydrophilic properties under repeated wetting conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 99, November 2012, Pages 43-49
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 99, November 2012, Pages 43-49
نویسندگان
Andreas Frommhold, Alex P.G. Robinson, Edward Tarte,