کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944274 | 1450383 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The experimental investigation on dark current for InGaAs-InP avalanche photodiodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: The experimental investigation on dark current for InGaAs-InP avalanche photodiodes The experimental investigation on dark current for InGaAs-InP avalanche photodiodes](/preview/png/6944274.png)
چکیده انگلیسی
⺠An APD with ultra-low dark current (0.10 nA@M = 8) has been demonstrated. ⺠The volume dark current contribution becomes dominant with multiplication gain. ⺠The punch-through configuration is helpful to reduce the dark current. ⺠Multiplication layer thickness is critical to dark current reduction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 19-23
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 19-23
نویسندگان
Yanli Zhao, Suxiang He,