| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 6944292 | 1450383 | 2012 | 17 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Electrical and photoconductivity properties of p-Si/P3HT/Al and p-Si/P3HT:MEH-PPV/Al organic devices: Comparison study
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													مهندسی کامپیوتر
													سخت افزارها و معماری
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												⺠The p-Si/P3HT/Al and p-Si/P3HT:MEH-PPV/Al organic devices were fabricated. ⺠MEH-PPV improves the photoconductivity parameters of the p-Si/P3HT diode. ⺠The electronics parameters of p-Si/P3HT diode are changed with MEH-PPV doping.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 41-57
											Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 41-57
نویسندگان
												B. Gunduz, I.S. Yahia, F. Yakuphanoglu,