کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944339 | 1450383 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Observation of multi-conductance state in solution processed Al/a-TiO2/ITO memory device
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Observation of multi-conductance state in solution processed Al/a-TiO2/ITO memory device Observation of multi-conductance state in solution processed Al/a-TiO2/ITO memory device](/preview/png/6944339.png)
چکیده انگلیسی
⺠Amorphous titanium oxide films have been prepared by Sol-gel method. ⺠Reproducible BRS behavior with ON/OFF ratio nearly three orders has been obtained. ⺠An unique multi-step conducting state has been observed in sol-gel derived Al/a-TiO2/ITO stacked structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 97-101
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 97-101
نویسندگان
V. Senthilkumar, A. Kathalingam, V. Kannan, Jin-Koo Rhee,