کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944412 | 1450383 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Strength analysis of EUV-exposed photo resists by AFM at 40Â nm half pitch and below
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Strength analysis of EUV-exposed photo resists by AFM at 40Â nm half pitch and below Strength analysis of EUV-exposed photo resists by AFM at 40Â nm half pitch and below](/preview/png/6944412.png)
چکیده انگلیسی
⺠We present an AFM method to evaluate EUV photo resist strength. ⺠Square dependence of the breakage force as a function of line width is shown. ⺠The derived yield stress is related to the pattern collapse probability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 159-162
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 159-162
نویسندگان
Gustaf Winroth, Roel Gronheid, Tae-Gon Kim, Paul W. Mertens,