کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6944618 1450383 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
TCAD simulation of SOI TFETs and calibration of non-local band-to-band tunneling model
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
TCAD simulation of SOI TFETs and calibration of non-local band-to-band tunneling model
چکیده انگلیسی
► We report a simulation study of the non-local tunneling model applied to Tunnel FET. ► An algorithm to calibrate the non-local tunneling model with experiments is shown. ► Reduced mass is used as the only fitting parameter. ► Transverse optical phonon is used in the calculation for consistency with simulator. ► The tunneling generation rates for different crystal directions are calculated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 334-337
نویسندگان
, , , , ,