کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944618 | 1450383 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
TCAD simulation of SOI TFETs and calibration of non-local band-to-band tunneling model
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: TCAD simulation of SOI TFETs and calibration of non-local band-to-band tunneling model TCAD simulation of SOI TFETs and calibration of non-local band-to-band tunneling model](/preview/png/6944618.png)
چکیده انگلیسی
⺠We report a simulation study of the non-local tunneling model applied to Tunnel FET. ⺠An algorithm to calibrate the non-local tunneling model with experiments is shown. ⺠Reduced mass is used as the only fitting parameter. ⺠Transverse optical phonon is used in the calculation for consistency with simulator. ⺠The tunneling generation rates for different crystal directions are calculated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 334-337
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 334-337
نویسندگان
Arnab Biswas, Surya Shankar Dan, Cyrille Le Royer, Wladyslaw Grabinski, Adrian M. Ionescu,