کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944634 | 1450383 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dual-gate field effect transistor based on ZnO nanowire with high-K gate dielectrics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Dual-gate ZnO nanowire field effect transistor with electron beam lithography standard process. ⺠HfO2 and Al2O3 dielectrics as top-gate and bottom-gate insulator layer, respectively. ⺠The top-gate mode electrical characteristics behavior is superior to bottom-gate mode. ⺠HfO2 has no improvement performance compared with Al2O3 film with larger dielectric constant.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 343-346
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 343-346
نویسندگان
Zongni Yao, Weijie Sun, Wuxia Li, Haifang Yang, Junjie Li, Changzhi Gu,