کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944642 | 1450383 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Resistive-switching behavior in Ti/Si3N4/Ti memory structures for ReRAM applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Resistive-switching behavior in Ti/Si3N4/Ti memory structures for ReRAM applications Resistive-switching behavior in Ti/Si3N4/Ti memory structures for ReRAM applications](/preview/png/6944642.png)
چکیده انگلیسی
⺠The resistive switching of the Ti/Si3N4/Ti cell have been investigated. ⺠The set/reset operation was achieved at a low current for both states. ⺠The memory cells showed improved endurance characteristics over â¼2700 cycles.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 351-354
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 351-354
نویسندگان
Hee-Dong Kim, Ho-Myoung An, Tae Geun Kim,