کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944772 | 1450391 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hydrogen passivation on Sequential Lateral Solidified poly-Si TFTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The field effect mobility is sufficiently and impressively improved by increasing the passivation time from 15Â min to 50Â min, denoting that SLS films allow quite efficient passivation of defects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 90, February 2012, Pages 72-75
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 90, February 2012, Pages 72-75
نویسندگان
L. Michalas, M. Koutsoureli, G.J. Papaioannou, D.N. Kouvatsos, A.T. Voutsas,