کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7117453 | 1461361 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Lithography-free fabrication of field effect transistor channels with randomly contact-printed black phosphorus flakes
ترجمه فارسی عنوان
ساخت کانال های ترانزیستور با اثر لیتوگرافی رایگان با فلکس های فسفر سیاه به صورت تصادفی تماس گرفته شده است
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
فسفر سیاه، ترانزیستور اثر میدان، چاپ تماس لیتوگرافی رایگان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
Black phosphorus (BP) has distinctive properties of tunable direct band gap as a semiconductor material, and both high carrier mobility and on/off switching performance for electronic devices, but has a significant drawback of material degradation in ambient atmosphere. Also, unlike graphene or MoS2, BP is only synthesized in bulk shapes limiting the fabrication of thin film-based devices. We demonstrated a contact printing process for BP field effect transistors (FET) with the steps of mechanical exfoliation of BP flakes and their randomized stamping in dry-transfer regime. The contact printing featured by fast, continuous and solvent-free process on the pre-patterned electrodes guarantees high process efficiency providing immunity against the chemical degradation of BP layers. With asymmetric I-V characteristics, the resultant BP-channelized FET shows the electrical properties of on/off current ratio, hole mobility, and subthreshold swing as >â¯102, ~â¯130â¯cm2/Vs, and ~â¯4.6â¯V/dec, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 86, 1 November 2018, Pages 58-62
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 86, 1 November 2018, Pages 58-62
نویسندگان
Seolhee Yoo, Sangsig Kim, Yong-Won Song,