کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7118851 | 1461406 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical conduction mechanisms of CdTe quantum dots/p-si heterojunction
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
CdTe quantum dots (QDs) are prepared on p-Si substrates using thermal evaporation technique. Current-voltage (I-V) characteristics of Au/CdTe QDs/p-Si/Al heterojunction are measured in a temperature range 304-368 K. The results show that the device has a rectification behavior with a rectification ratio being 275 at ±1.5 V. We determine the electrical conduction mechanisms of the heterojunction. At forward voltages V<0.3 V, the thermionic emission becomes the main mechanism, where in this voltage range, it is possible to estimate the barrier height and the ideality factor. At a forward voltage range 0.5
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 40, December 2015, Pages 337-343
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 40, December 2015, Pages 337-343
نویسندگان
M.M. El-Nahass, G.M. Youssef, S.A. Gad, Sohaila Z. Noby,