کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7118968 | 1461407 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Channel length influenced contribution of hole and electron trapping effect to threshold voltage stability in organic field effect transistors
ترجمه فارسی عنوان
طول کانال تأثیر سوراخ و جذب الکترون را به تثبیت ولتاژ آستانه در ترانزیستورهای اثر میدان آلی را تحت تاثیر قرار داد
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
افکت، طول کانال، تغییر ولتاژ آستانه، تأثیر سوراخ و نفوذ الکترون،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
Effect of channel length on hysteresis and threshold voltage shift in copper phthalocyanine (CuPc) based organic field effect transistors was studied. Contrary to expectation, longer channel length devices exhibited minimum threshold voltage shift. Influence of channel length on the contribution of hole and electron trapping to threshold voltage stability was determined. Shortest channel length devices exhibited highest electron trapping effect while longest channel devices exhibited minimum hole as well as electron trapping. Lower hole trap effect for longer channel length devices was suggested to be due to reduced longitudinal field between source and drain electrodes while minimum electron trapping was attributed to suppression of drain current by increased hole trap centres.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 39, November 2015, Pages 384-389
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 39, November 2015, Pages 384-389
نویسندگان
N. Padma,