کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7119685 | 1461429 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Imbedding germanium quantum dots in silica by a modified Stöber method
ترجمه فارسی عنوان
قرار دادن نقاط کوانتومی ژرمانیوم در سیلیس با استفاده از یک روش اصلاح شده است
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
Monodispersed silica nanoparticles 20 nm in diameter were synthesized with germanium quantum dots (QDs) as seeds using a modified Stöber process. The resulting structures comprise of germanium QD core within a silica sphere (Ge@SiO2). Films of the Ge@SiO2 Stöber particles result in an average QDâ¦QD distance of 9.6 nm, which is less than the maximum distance required for good electron transfer (10 nm). Thus, this method represents an efficient alternative to the previously reported liquid phase deposition (LPD) of silica on Ge QDs where many silica particles contained more than one QD, resulting in a wide range of QDâ¦QD distances.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 17, January 2014, Pages 7-12
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 17, January 2014, Pages 7-12
نویسندگان
Hannah Rutledge, Brittany L. Oliva-Chatelain, Samuel J. Maguire-Boyle, Dennis L. Flood, Andrew R. Barron,