کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7150984 1462221 2015 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of fin length on threshold voltage modulation by back bias for Independent double-gate tunnel fin field-effect transistors
ترجمه فارسی عنوان
تأثیر طول پیوندی بر مدولاسیون ولتاژ آستانه با تعویض پشتی برای ترانزیستورهای میدان اثر باله دو تایی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
We investigated the impact of fin length (Tfin) on the threshold voltage (Vth) modulation by back bias (Vb) for independent double-gate (IDG) tunnel fin field-effect transistors (tFinFETs). It was found that Vth can be tuned by Vb for IDG tFinFETs regardless of Tfin, which can be explained by the back-gate-effect model of IDG FinFETs. For IDG tFinFETs, the slope (back-gate-effect factor (γ)) of Vth with respect to Vb increases with thinning Tfin. This means that Tfin thinning is effective for tuning Vth by Vb for IDG tFinFETs. Furthermore, it was demonstrated that this back-bias-effect is consistent with the results of device simulation using an advanced nonlocal band-to-band model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 111, September 2015, Pages 62-66
نویسندگان
, , , , , , , , , , , , , , ,