کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7151101 1462258 2012 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparative study of circuit perspectives for multi-gate structures at sub-10 nm node
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Comparative study of circuit perspectives for multi-gate structures at sub-10 nm node
چکیده انگلیسی
► We evaluate parasitic capacitances for each double gate structure. ► Planar structure optimization are proposed, such as internal spacers. ► We prove that optimized planar DG present higher circuit performance than FinFET.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 74, August 2012, Pages 25-31
نویسندگان
, , , , , , ,