کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151101 | 1462258 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparative study of circuit perspectives for multi-gate structures at sub-10Â nm node
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We evaluate parasitic capacitances for each double gate structure. ⺠Planar structure optimization are proposed, such as internal spacers. ⺠We prove that optimized planar DG present higher circuit performance than FinFET.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 74, August 2012, Pages 25-31
Journal: Solid-State Electronics - Volume 74, August 2012, Pages 25-31
نویسندگان
J. Lacord, J.-L. Huguenin, S. Monfray, R. Coquand, T. Skotnicki, G. Ghibaudo, F. Boeuf,