کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
727005 | 892671 | 2010 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of highly (1 1 1) oriented CuIn0.75Al0.25Se2 thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
CuIn0.75Al0.25Se2 thin films prepared onto glass substrates at TS=573 K were single phase, nearly stoichiometric and polycrystalline with a strong (1 1 1) preferred orientation showing sphalerite structure. The results of X-ray diffraction and electron diffraction studies are compared, interpreted and correlated with micro-Raman spectra. The optical absorption studies indicated a direct band gap of 1.16 eV with high absorption coefficient (>104 cm−1) near the fundamental absorption edge.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 13, Issue 4, December 2010, Pages 288–294
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 13, Issue 4, December 2010, Pages 288–294
نویسندگان
G. Hema Chandra, C. Udayakumar, N. Padhy, S. Uthanna,