کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
727005 892671 2010 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of highly (1 1 1) oriented CuIn0.75Al0.25Se2 thin films
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Growth of highly (1 1 1) oriented CuIn0.75Al0.25Se2 thin films
چکیده انگلیسی

CuIn0.75Al0.25Se2 thin films prepared onto glass substrates at TS=573 K were single phase, nearly stoichiometric and polycrystalline with a strong (1 1 1) preferred orientation showing sphalerite structure. The results of X-ray diffraction and electron diffraction studies are compared, interpreted and correlated with micro-Raman spectra. The optical absorption studies indicated a direct band gap of 1.16 eV with high absorption coefficient (>104 cm−1) near the fundamental absorption edge.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 13, Issue 4, December 2010, Pages 288–294
نویسندگان
, , , ,