کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
728310 | 1461408 | 2015 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical analysis of Al/ZnO/p-Si, Al/PMMA/p-Si and Al/PMMA/ZnO/p-Si structures: Comparison study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Al/ZnO/p-Si, Al/PMMA/p-Si and Al/PMMA/ZnO/p-Si structures were fabricated. Based on the measured current–voltage (C–V) and capacitance–voltage curves, the electrical characteristics of these heterostructures such as ideality factor, barrier height and series resistance of each structure were analyzed and then compared with those of Al/PMMA/ZnO/p-Si. According to C–V measurement, it was found that the Al/PMMA/ZnO/p-Si structure indicates the better electronic performance rather than other structures. The obtained results represent low series resistance (19.3 Ω) after coating with polymethyl methacrylate (PMMA) over ZnO/p-Si heterojunction structure for Al/PMMA/ZnO/p-Si heterostructure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 38, October 2015, Pages 249–256
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 38, October 2015, Pages 249–256
نویسندگان
S. Bilge Ocak, A.B. Selçuk, G. Aras, E. Orhan,