کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
728407 1461419 2014 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrically-driven metal–insulator transition of vanadium dioxide thin films in a metal–oxide-insulator–metal device structure
ترجمه فارسی عنوان
انتقال الکتریسیته بین فلزهای نازک دی اکسید وانادیوم در یک فلز اکسید-انسولاتور ساختار دستگاه فلزی
کلمات کلیدی
انتقال فلز مقره، ویژگی های سوئیچینگ برق اتصال فلزات اکسید فلزی و فلزی، دیاکسید وانادیوم
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی

We report the successful growth of vanadium dioxide (VO2) films on SiO2 buffered metal electrode and the fabrication of metal–oxide-insulator–metal (MOIM) junction. The VO2 film has an abrupt thermal-induced metal–insulator transition (MIT) with a change of resistance of 2 orders of magnitude. The electrically-driven MIT (E-MIT) switching characteristics have been investigated by applying perpendicular voltage to VO2 based MOIM device at particular temperatures, sharp jumps in electric current were observed in the I–V characteristics under a low threshold voltage of 1.6 V. The Ohmic behavior, non-Ohmic super-linear one, and metallic regime are sequentially observed in the MOIM device with the increase of voltage. It is expected to be of significance in exploring ultrafast electronic devices incorporating correlated oxides based MOIM structure.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 27, November 2014, Pages 140–144
نویسندگان
, , , , , ,