کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
728434 | 1461419 | 2014 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Semi-empirical tight binding method for calculating energy levels of hydrogenated silicon nanoclusters as a function of size
ترجمه فارسی عنوان
روش اتصال تنگ نیمه تجربی برای محاسبه سطح انرژی نانوکیلرهای سیلیکون هیدروژنه به عنوان تابع اندازه
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
A semi-empirical tight binding model is used for calculating energy levels of spherical hydrogenated silicon nanoclusters in the form of SimHn and two independent bases. The first basis is the nearest neighbor approximation of sp3s⁎ orthogonal basis and the second basis is the third nearest neighbor approximation of sp3 nonorthogonal basis. Also, bulk properties of silicon crystal are used in the calculations. As we expected, obtained results show that the change in the size of nanoclusters has a great influence on their energy levels. So optical properties of these nanoclusters can be controlled externally. A comparative study on the calculated results and experimental results also reveals a good agreement between the two approaches.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 27, November 2014, Pages 335–342
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 27, November 2014, Pages 335–342
نویسندگان
Farzad Bonabi, Bahram Bahrami,