کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
728638 1461427 2014 6 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of high pressure on the optical and electrical properties of indium-doped n-type wurtzite zinc oxide according to first principles
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Impact of high pressure on the optical and electrical properties of indium-doped n-type wurtzite zinc oxide according to first principles
چکیده انگلیسی

We investigated the lattice constants, band structure, and optical properties of In-doped n-type ZnO under high pressure according to first principles. The results show that lattice constants a and c decrease and the bandgap increases with increasing pressure. The conduction band minimum always moves to higher energy, whereas the valence band maximum moves to lower energy with increasing pressure, so the bandgap broadens. The curve shape for optical parameters is almost unchanged with increasing pressure, but all the peaks move to higher energy (blue shift). The results provide a theoretical reference for the design of UV devices comprising In-doped ZnO.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 19, March 2014, Pages 66–71
نویسندگان
, , , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت