کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
728638 | 1461427 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of high pressure on the optical and electrical properties of indium-doped n-type wurtzite zinc oxide according to first principles
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigated the lattice constants, band structure, and optical properties of In-doped n-type ZnO under high pressure according to first principles. The results show that lattice constants a and c decrease and the bandgap increases with increasing pressure. The conduction band minimum always moves to higher energy, whereas the valence band maximum moves to lower energy with increasing pressure, so the bandgap broadens. The curve shape for optical parameters is almost unchanged with increasing pressure, but all the peaks move to higher energy (blue shift). The results provide a theoretical reference for the design of UV devices comprising In-doped ZnO.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 19, March 2014, Pages 66–71
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 19, March 2014, Pages 66–71
نویسندگان
Yanfang Zhao, Jie Gong, Haiying Yang, Ping Yang,