کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
728765 | 892851 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A 0.4 dB noise figure wideband low-noise amplifier using a novel InGaAs/InAlAs/InP device
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A 0.4 dB noise figure wideband low-noise amplifier using a novel InGaAs/InAlAs/InP device A 0.4 dB noise figure wideband low-noise amplifier using a novel InGaAs/InAlAs/InP device](/preview/png/728765.png)
چکیده انگلیسی
In this work, the design of a novel low-noise amplifier (LNA) based on 1 μm gate-length InGaAs/InAlAs/InP pHEMT transistors is discussed. Designed for radioastronomy applications, this amplifier exploits a common-drain configuration as input stage and a common-source inductive degeneration topology as output stage. It exhibits a maximum gain of 30 dB within an input 1 dB compression point of −16 dBm. The noise figure is 0.4 dB with an input return loss greater than −10 dB and an output return loss of −12.5 dB. The LNA consumes 85 mW from a 1.5 V power supply.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 14, Issue 2, June 2011, Pages 89–93
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 14, Issue 2, June 2011, Pages 89–93
نویسندگان
Z. Hamaizia, N. Sengouga, M. Missous, M.C.E. Yagoub,