کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
728767 892851 2011 4 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1)
چکیده انگلیسی

We studied the influence of high temperature AlN buffer thickness on the property of GaN film on Si (1 1 1) substrate. Samples were grown by metal organic chemical vapor deposition. Optical microscopy, atomic force microscopy and X-ray diffraction were employed to characterize the samples. The results demonstrated that thickness of high temperature AlN buffer prominently influenced the morphology and the crystal quality of GaN epilayer. The optimized thickness of the AlN buffer is found to be about 150 nm. Under the optimized thickness, the largest crack-free range of GaN film is 10 mm×10 mm and the full width at half maximum of GaN (0 0 0 2) rocking curve peak is 621.7 arcsec. Using high temperature AlN/AlGaN multibuffer combined with AlN/GaN superlattices interlayer we have obtained 2 μm crack-free GaN epilayer on 2 in Si (1 1 1) substrates.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 14, Issue 2, June 2011, Pages 97–100
نویسندگان
, , , , , , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت