کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
728923 | 1461432 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of migration anisotropy on the growth mechanism
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The kinetics Monte Carlo (KMC) simulation and the rate equation method were used to study the influence of the anisotropic surface migration on the submonolayer growth mechanism. Simulations show that the influence of the migration anisotropy tends to saturate when the migration anisotropy exceeds 100. There is good agreement between the KMC simulation and the adjusted rate-equation. The researches show that it is significant to define a new parameter: effective diffusion rate. The effective diffusion rate is not only determined by the temperature and the hopping barrier, but is also by the anisotropy. The effective surface diffusion rate will decrease with the increase of the surface migration anisotropy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 12, Issues 4â5, AugustâOctober 2009, Pages 189-192
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 12, Issues 4â5, AugustâOctober 2009, Pages 189-192
نویسندگان
Jianguo Yu, Huibing Mao, Weiping Jing, Jiqing Wang,