کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729122 | 1461439 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect influence on luminescence efficiency of GaN-based LEDs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Defect influence on luminescence efficiency of GaN-based LEDs Defect influence on luminescence efficiency of GaN-based LEDs](/preview/png/729122.png)
چکیده انگلیسی
Wafers with normal light-emitting diode structure were grown by metal organic chemical vapor deposition system. The pressure and temperature were varied during growth of buffer layer in order to grow different types of epilayers. The cathodoluminescence results show that the interface distortion of quantum well plays an important role in radiant efficiency. The electroluminescence detections indicate that the dislocations also influence the external quantum efficiency by lowering the electron injection efficiency.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issues 1–3, February–June 2006, Pages 371–374
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issues 1–3, February–June 2006, Pages 371–374
نویسندگان
Shuping Li, Zhilai Fang, Hangyang Chen, Jinchai Li, Xiaohong Chen, Xiaoli Yuan, Takashi Sekiguchi, Qiming Wang, Junyong Kang,