کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729378 | 1461422 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical determination of the impact of channel morphology and quantum size effects on the surface potential of nanocrystalline silicon thin film transistors
ترجمه فارسی عنوان
تعیین نظری تأثیر مورفولوژی کانال و اثرات اندازه کوانتومی بر پتانسیل سطح ترانزیستورهای نازک سیلیکون نانوبلوریک
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
In this work, we propose an analytical model allowing the calculation of nanocrystalline silicon thin film transistors surface potential by considering a granular morphology of silicon nanocrystallites forming the channel. Results show that, according to the quantum effects on dielectric constant and band gap, the surface potential values are strongly related to the silicon crystallites structure in terms of size and geometry. The comparison of our results with existing research data shows a good agreement between the surface potential shapes and an interesting difference in the surface potential variations related to the morphology specificity considered in our theoretical approach.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 24, August 2014, Pages 278–281
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 24, August 2014, Pages 278–281
نویسندگان
Rachid Fates, Hachemi Bouridah, Riad Remmouche,