کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729384 | 892890 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural and interfacial properties of high-k HfOxNy gate dielectric films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Structural and interfacial properties of high-k HfOxNy gate dielectric films Structural and interfacial properties of high-k HfOxNy gate dielectric films](/preview/png/729384.png)
چکیده انگلیسی
The thermal stability and interfacial characteristics for hafnium oxynitride (HfOxNy) gate dielectrics formed on Si (1 0 0) by plasma oxidation of sputtered HfN films have been investigated. X-ray diffraction results show that the crystallization temperature of nitrogen-incorporated HfO2 films increases compared to HfO2 films. Analyses by X-ray photoelectron spectroscopy confirm the nitrogen incorporation in the as-deposited sample and nitrogen substitution by oxygen in the annealed species. Results of FTIR characterization indicate that the growth of the interfacial SiO2 layer is suppressed in HfOxNy films compared to HfO2 films annealed in N2 ambient. The growth mechanism of the interfacial layer is discussed in detail.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issue 6, December 2006, Pages 870–875
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issue 6, December 2006, Pages 870–875
نویسندگان
G. He, Q. Fang, L.D. Zhang,