کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729400 | 892890 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoemission (XPS and XPD) study of epitaxial LaAlO3 film grown on SrTiO3(0 0 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Photoemission (XPS and XPD) study of epitaxial LaAlO3 film grown on SrTiO3(0 0 1) Photoemission (XPS and XPD) study of epitaxial LaAlO3 film grown on SrTiO3(0 0 1)](/preview/png/729400.png)
چکیده انگلیسی
This study investigates the tensile-strained growth of LaAlO3 on SrTiO3(0 0 1) substrate by molecular beam epitaxy (MBE). Growth was controlled in situ by reflection high energy electron diffraction (RHEED). The characterization was carried out ex situ by photoemission and atomic force microscopy (AFM). Photoelectron spectroscopy (XPS) reveals the development of a TiOx-rich interface. Photoelectron diffraction (XPD) confirms that a 1.2-nm-thick pseudomorphic LaAlO3 film has been grown on SrTiO3(0 0 1) substrate with a perpendicular lattice parameter of 0.372±0.02 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issue 6, December 2006, Pages 954–958
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issue 6, December 2006, Pages 954–958
نویسندگان
M. El Kazzi, C. Merckling, G. Delhaye, L. Arzel, G. Grenet, E. Bergignat, G. Hollinger,