کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729836 | 1461433 | 2009 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth study of silicon nanowires by electron microscopies
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We present a method that allows the synthesis of silicon nanowires (Si NWs) using Au or Ga as catalyst solvent in a scanning electron microscopy. The method is based on localized joule heating of tungsten wires to activate vapor–liquid–solid Si nanowire synthesis. Directly from scanning electron microscopy images we observe two different growth mechanisms for each catalyst solvent (Au and Ga). Since the conductive tungsten wires can be elaborated by focused ion beam induced deposition on 50-nm-thick Si3N4 membranes, we will show that transmission electron microscopy characterizations can be deduced from as-deposited .silicon nanowires.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 12, Issues 1–2, February–April 2009, Pages 44–51
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 12, Issues 1–2, February–April 2009, Pages 44–51
نویسندگان
Alan Reguer, Hervé Dallaporta,