کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729872 | 1461434 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oxidation characteristics of Si0.85Ge0.15 nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Oxidation characteristics of Si0.85Ge0.15 nanowires were investigated using transmission electron microscopy (TEM) analyses. Si0.85Ge0.15 nanowires were grown in a tube furnace by vapor–liquid–solid (VLS) method and thermally oxidized at 925 °C for 1–8 h. After oxidation, oxide thicknesses were measured using TEM images. Si0.85Ge0.15 nanowires showed a thicker oxide than Si nanowires, for the whole range of oxidation time. The oxidation rate of Si0.85Ge0.15 nanowires significantly decreased in nanowires with diameters less than 150 nm. Long-term oxidation in Si0.85Ge0.15 nanowire resulted in the oxidation of germanium atoms.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 11, Issues 5–6, October 2008, Pages 182–186
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 11, Issues 5–6, October 2008, Pages 182–186
نویسندگان
Sang-Yeon Kim, Sun-Wook Kim, Hyun-Jin Chang, Han-Kyu Seong, Heon-Jin Choi, Dae-Hong Ko,