کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
729897 1461434 2008 4 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of electron and proton irradiation on embedded SiGe source/drain diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Effects of electron and proton irradiation on embedded SiGe source/drain diodes
چکیده انگلیسی
The performance degradation of the I/V and C/V characteristics of Si1−xGex S/D diodes irradiated by 2-MeV electrons and 70-MeV protons was investigated. After irradiation, the reverse current increases, while the forward current and reverse capacitance decrease. Based on considerations of the damage factor and coefficient for different fluences and radiation sources, the radiation damage becomes smaller with increase in germanium content. Also, for proton irradiation, the damage is about three orders of magnitude larger than for electrons due to the difference of particle mass and collision probability to produce displacement damage.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 11, Issues 5–6, October 2008, Pages 310-313
نویسندگان
, , , , , , , , , , , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت