کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747764 | 1462224 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The impact of interface states on the mobility and drive current of In0.53Ga0.47AsIn0.53Ga0.47As semiconductor n-MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Accurate Schrödinger-Poisson and Multi-Subband Monte Carlo simulations are used to investigate the effect of interface states at the channel-insulator interface of In0.53Ga0.47AsIn0.53Ga0.47As MOSFETs. Acceptor states with energy inside the conduction band of the semiconductor can explain the dramatic Fermi level pinning observed in the experiments. Our results show that these states significantly impact the electrical mobility measurements but they appear to have a limited influence on the static current drive of short channel devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 108, June 2015, Pages 90–96
Journal: Solid-State Electronics - Volume 108, June 2015, Pages 90–96
نویسندگان
Patrik Osgnach, Enrico Caruso, Daniel Lizzit, Pierpaolo Palestri, David Esseni, Luca Selmi,