کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747931 | 1462234 | 2014 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Models for the use of commercial TCAD in the analysis of silicon-based integrated biosensors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
• We extend commercial TCAD for semiconductors to simulate electronic biosensors.
• Screening at high electrolyte concentration strongly reduces their DC sensitivity.
• We analyze the relevance of steric and polarization effects in nano-electrodes sensors.
We present a simple approach to describe electrolytes in TCAD simulators for the modeling of nano-biosensors. The method exploits the similarity between the transport equations for electrons and holes in semiconductors and the ones for charged ions in a solution. We describe a few workarounds to improve the model accuracy in spite of the limitations of commercial TCAD. Applications to the simulations of silicon nanowire and nano-electrode biosensors are reported as relevant examples.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 98, August 2014, Pages 63–69
Journal: Solid-State Electronics - Volume 98, August 2014, Pages 63–69
نویسندگان
F. Pittino, P. Palestri, P. Scarbolo, D. Esseni, L. Selmi,