کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748038 | 1462230 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Performance evaluation of parallel electric field tunnel field-effect transistor by a distributed-element circuit model
ترجمه فارسی عنوان
ارزیابی عملکرد ترانزیستور میدان مغناطیسی میدان مغناطیسی موازی با یک مدل مدار توزیع شده
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
The performance of parallel electric field tunnel field-effect transistors (TFETs), in which band-to-band tunneling (BTBT) was initiated in-line to the gate electric field was evaluated. The TFET was fabricated by inserting an epitaxially-grown parallel-plate tunnel capacitor between heavily doped source wells and gate insulators. Analysis using a distributed-element circuit model indicated there should be a limit of the drain current caused by the self-voltage-drop effect in the ultrathin channel layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 102, December 2014, Pages 82–86
Journal: Solid-State Electronics - Volume 102, December 2014, Pages 82–86
نویسندگان
Yukinori Morita, Takahiro Mori, Shinji Migita, Wataru Mizubayashi, Akihito Tanabe, Koichi Fukuda, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Shin-ichi O’uchi, Yongxun Liu, Meishoku Masahara, Hiroyuki Ota,