کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748991 | 894801 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-k-oxide/silicon interfaces characterized by capacitance frequency spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: High-k-oxide/silicon interfaces characterized by capacitance frequency spectroscopy High-k-oxide/silicon interfaces characterized by capacitance frequency spectroscopy](/preview/png/748991.png)
چکیده انگلیسی
Electron capture into insulator/silicon interface states is investigated for high-k dielectrics of Gd2O3 prepared by molecular beam epitaxy (MBE) and atomic layer deposition (ALD), and for HfO2 prepared by reactive sputtering, by measuring the frequency dependence of Metal Oxide Semiconductor (MOS) capacitance. The capture cross sections are found to be thermally activated and to increase steeply with the energy depth of the interface electron states. The methodology adopted is considered useful for increasing the understanding of high-k-oxide/silicon interfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 9, September 2008, Pages 1274–1279
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 9, September 2008, Pages 1274–1279
نویسندگان
B. Raeissi, J. Piscator, O. Engström, S. Hall, O. Buiu, M.C. Lemme, H.D.B. Gottlob, P.K. Hurley, K. Cherkaoui, H.J. Osten,